特許
J-GLOBAL ID：200903039169772150

半導体装置およびその製造方法

発明者：
河野 寛

河野 寛 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-268007
公開番号（公開出願番号）：特開2007-081195
出願日： 2005年09月15日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：
【課題】 コンタクトプラグとキャパシタ下部電極との接合部における電界集中を抑制する【解決手段】 タングステンと層間絶縁膜130の研磨レート差が大きく、絶縁膜130の研磨レートをc、タングステンの研磨レートをdとした場合の研磨レート比“c/d”が3以上となる条件下で化学機械研磨を行うと、絶縁膜130が後退し、コンタクトプラグ上端部が絶縁膜130の上方に露出する。さらに絶縁膜化学機械研磨を進行させることで、コンタクトプラグ上端部の形状が半球状に加工される。半球状に加工されたコンタクトプラグ上に導電膜を形成し、キャパシタ下部電極を形成すると、その接触界面は半球状となり、鋭角的な接触領域は存在しないため、電圧印加時の電界集中は抑制される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、この基板上に設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトプラグと、前記層間絶縁膜上に形成されたキャパシタ下部電極とを備え、 前記コンタクトプラグの上端が前記層間絶縁膜の表面より突出し、かつ前記コンタクトプラグの上端形状が凸曲面状であり、前記コンタクトプラグの凸曲面状の上端が前記コンタクトプラグと接触する前記キャパシタ下部電極の内部に位置する半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108
FI (2件)：
H01L21/90 D ,  H01L27/10 621C
Fターム (35件)：
5F033JJ04 ,  5F033JJ05 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033NN01 ,  5F033NN12 ,  5F033NN15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR01 ,  5F033SS15 ,  5F033VV10 ,  5F033VV16 ,  5F033XX00 ,  5F083AD24 ,  5F083JA22 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083NA01 ,  5F083NA08 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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