特許
J-GLOBAL ID：200903039194062817
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀 城之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-343975
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163343
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 結晶欠陥を生じることなくキヤリア発生に必要な不純物のドーピング効率を高める.【解決手段】 半導体基板1上にゲート酸化膜2を介して形成したゲート電極3と、上記ゲート電極を挟んで半導体基板に選択結晶成長法を用いて形成されたソースおよびドレイン4とを備えた半導体装置において、上記ソースおよびドレインを構成する半導体の一部もしくは全部が、ゲルマニウムと、・族または・族の元素を不純物として含んでおり、ゲルマニウムの含有率が1〜10%程度であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にゲート酸化膜を介して形成したゲート電極と、上記ゲート電極を挟んで半導体基板に選択結晶成長法を用いて形成されたソースおよびドレインとを備えた半導体装置において、上記ソースおよびドレインを構成する半導体の一部もしくは全部が、ゲルマニウムと、III族またはV族の元素を不純物として含んでおり、ゲルマニウムの含有率が1〜10%程度であることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/28 301
, H01L 21/336
H01L 29/78 301 S
, H01L 21/28 301 D
, H01L 29/78 301 P
