絶縁ゲート型電界効果トランジスタとその製法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-080684
公開番号（公開出願番号）：特開平7-288323
出願日： 1994年04月19日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：

【要約】【目的】金属電極としてAlを含む金属層が用いられる場合のAlのp-n接合への突き抜けの問題、金属電極の被着部における抵抗増加の問題の解決をはかる。【構成】少なくともシリコン半導体によるソースおよびドレイン4Sおよび4Dに対して金属電極7Sおよび7Dがオーミックに被着される絶縁ゲート型電界効果トランジスタにおいて、少なくともその金属電極7Sおよび7Dがオーミックに被着されるソースおよびドレイン4Sおよび4Dに、Si1-x Gex 層21を介して金属電極7Sおよび7Dをオーミックに被着する構成とする。

請求項（抜粋）：

少なくともシリコン半導体によるソースおよびドレインに対して金属電極がオーミックに被着される絶縁ゲート型電界効果トランジスタにおいて、少なくとも上記金属電極がオーミックに被着される上記ソースおよびドレインに、Si1-x Gex 層を介して金属電極をオーミックに被着することを特徴とする絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 301

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-345630 出願人：株式会社東芝
特開平4-137528
特開平4-196420

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