特許
J-GLOBAL ID：200903039196631630
受光素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-192367
公開番号（公開出願番号）：特開2001-024210
出願日： 1999年07月06日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：
【要約】【課題】異なる波長を有する複数の信号光の中で長波長の信号光のみを選択的に受光する受光素子を実現する。【解決手段】n型InP半導体基板201上に低濃度n型InGaAs光吸収層202及び低濃度n型InP窓層203が順次積層されている。窓層203には島状にZn等のp不純物が拡散された拡散領域204が形成され、拡散領域204以外の窓層203上には絶縁膜205が堆積されている。拡散領域204上にはリング状の負電極206が形成され、絶縁膜205上には円形のパッド207が形成されている。負電極206とパッド207は、絶縁膜205上の配線208によって接続されている。半導体基板201の裏面には正電極209が蒸着されている。拡散領域204を覆う波長フィルタ210は、例えば吸収端波長1.4μmのInGaAsPよりなる厚さ7μmの化合物半導体薄膜であり、樹脂211によって接着されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に順次積層された光吸収層、窓層及び波長フィルタ層と、前記波長フィルタ層及び窓層に島状に形成された拡散領域とを有し、前記波長フィルタ層は前記窓層よりも禁制帯幅が小さく、前記光吸収層は前記波長フィルタ層よりも禁制帯幅が小さいことを特徴とする受光素子。
Fターム (17件)：
5F049MA04
, 5F049MB07
, 5F049MB12
, 5F049NA10
, 5F049NA18
, 5F049NB01
, 5F049PA09
, 5F049PA14
, 5F049PA20
, 5F049QA03
, 5F049SE05
, 5F049SE12
, 5F049SS04
, 5F049SZ07
, 5F049SZ12
, 5F049SZ13
, 5F049WA01
