特許

J-GLOBAL ID：200903039234413294

面発光レーザの製造方法

発明者： アントニーナ・プレ ,  ポール・サレ ,  ジヨエル・ジヤツク ,  フランシス・ポワン ,  エステル・ドウルアン
出願人/特許権者： アルカテル・アルストム・コンパニイ・ジエネラル・デレクトリシテ
代理人 (1件)： 川口 義雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-180136
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065268
出願日： 1997年07月04日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】 実施が簡単で基板の組成の如何にかかわらず適用することができる発振型半導体レーダの製造方法を提供する。【解決手段】 レーザの共振空洞を規定するミラー(MS、MI)の良好な電気閉じ込め性および良好な平面性を確保するするために、- アンダーカット層を成長させる段階と、- アンダーカット層上で、少なくとも一回成長させる段階と、- アンダーカット層を露出させるメサを形成する段階と、- アンダーカット層の側面の制御エッチングを行う段階とにより、電気閉じ込め層(a1、a2)を作製することから成る方法。InPおよびGaAsなどのIII-V族基板上での半導体レーザの製造に適用される。

請求項（抜粋）：

III-V族の元素から成る基板上に形成された垂直共振空洞を含む面発光半導体レーザ構成要素の製造方法であって、前記空洞が、水平活性層(CA)と前記空洞を規定するミラー(MS)との間に配設された電気閉じ込め水平層(a1、a2)を具備する電流注入層(IC)を含み、電流注入層(IC)の形成が、活性層(CA)上で、前記構成要素の動作波長に対し透明なアンダーカット層(a)を成長させる段階と、前記アンダーカット層(a)上で、ドープしたIII-V族の元素を少なくとも一回成長させる段階と、前記ミラー(MS)の意図された位置に対して中心に置かれ、その側面壁(9)により前記アンダーカット層(a)が露出するメサ(m)を形成する段階と、前記電気閉じ込め層(a1、a2)を形成するためにアンダーカット層(a)側面の制御されたエッチングを行う段階とを含むことを特徴とする製造方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-232808   出願人：日本電信電話株式会社
• 面発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-014548   出願人：日本電気株式会社