特許
J-GLOBAL ID：200903039274515723
半導体装置およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-197363
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046209
出願日： 1994年07月29日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：
【要約】【目的】 不純物イオンの注入に従う、ソース/ドレイン領域表面における損傷の影響を排除した薄膜トランジスタを提供する。【構成】 ソース領域209とドレイン領域210への不純物イオン(Pイオン)の注入の際に生じるソース領域209とドレイン領域210の表面を200で示すようにエッチングによって取り除く。こうすることで、不純物イオンの注入の際に生成されたソース/ドレイン領域表面の欠陥を取り除くことができる。また、エッチングによって薄くなったソース/ドレイン領域の表面に金属のシリサイド層を形成することで、ソース/ドレイン領域の抵抗を下げることができる。
請求項（抜粋）：
少なくともソース領域とドレイン領域とチャネル形成領域とが形成された活性層を有し、前記ソース領域とドレイン領域との表面は50Å以上の厚さでエッチングされていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/265
H01L 29/78 616 L
, H01L 21/265 A
