特許
J-GLOBAL ID:200903039278951242

アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-007688
公開番号(公開出願番号):特開2005-203530
出願日: 2004年01月15日
公開日(公表日): 2005年07月28日
要約:
【課題】ピット密度の向上とピット長の均一化により、電極箔の静電容量を向上させ、さらに電極箔の機械的強度の高いアルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供することを目的とするものである。【解決手段】前段エッチング工程と後段エッチング工程とを備えたアルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法であって、前記前段エッチング工程は第1の前段エッチング処理とその後に行う第2の前段エッチング処理を含む2段階以上のエッチング処理を備え、前記第1の前段エッチング処理及び第2の前段エッチング処理は、電流印加の始めを最大電流密度とし、この最大電流密度から最大電流密度の25%以下まで低下させるときに電流密度の傾きの絶対値を徐々に小さくなるように電流印加し、かつ前記第1の前段エッチング処理のエッチング液の電導度よりも第2の前段エッチング処理のエッチング液の電導度を高くして直流エッチング処理するようにした製造方法である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
アルミニウム箔に直流電流を印加してピットを生成させる前段エッチング工程と、前記ピットを拡大する後段エッチング工程とを備えたアルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法であって、前記前段エッチング工程は第1の前段エッチング処理とその後に行う第2の前段エッチング処理を含む2段階以上のエッチング処理を備え、前記第1の前段エッチング処理及び第2の前段エッチング処理は、電流印加の始めを最大電流密度とし、この最大電流密度から最大電流密度の25%以下まで低下させるときに電流密度の傾きの絶対値を徐々に小さくなるように電流印加し、かつ前記第1の前段エッチング処理のエッチング液の電導度よりも第2の前段エッチング処理のエッチング液の電導度を高くしてエッチング処理するようにしたアルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法。
IPC (2件):
H01G9/04 ,  H01G9/00
FI (2件):
H01G9/04 304 ,  H01G9/24 B
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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