特許
J-GLOBAL ID:200903039313951927
一つの抵抗体及び一つのダイオードを有する不揮発性メモリ素子及び不揮発性メモリ素子アレイ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
磯野 道造
, 多田 悦夫
, 柏木 忍
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-325891
公開番号(公開出願番号):特開2006-140489
出願日: 2005年11月10日
公開日(公表日): 2006年06月01日
要約:
【課題】製造が簡単であり、低電力駆動が可能であり、高速の動作特性を有する一つの抵抗体(R)及び一つのダイオード(D)を備えた新たな構造の不揮発性半導体メモリ素子を提供する。【解決手段】基板10と、基板10上に形成された下部電極11と、下部電極11上に形成された第1抵抗層12と、第1抵抗層12上に形成された第2抵抗層13と、第2抵抗層13上に形成された第1酸化層14と、第1酸化層14上に形成された第2酸化層15と、第2酸化層15上に形成された上部電極16と、を備える揮発性メモリ素子である。【選択図】図1A
請求項(抜粋):
基板と、
前記基板上に形成された下部電極と、
前記下部電極上に形成された抵抗構造体と、
前記抵抗構造体上に形成されたダイオード構造体と、
前記ダイオード構造体上に形成された上部電極と、
を備えることを特徴とする一つの抵抗体及び一つのダイオードを有する不揮発性メモリ素子。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L27/10 451
, G11C13/00 A
Fターム (5件):
5F083FZ10
, 5F083JA21
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083PR22
引用特許:
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