特許

J-GLOBAL ID：200903039313951927

一つの抵抗体及び一つのダイオードを有する不揮発性メモリ素子及び不揮発性メモリ素子アレイ

発明者： 安 承 彦 ,  柳 寅 ▲敬▼ ,  鄭 ▲庸▼ 洙 ,  車 映 官 ,  李 明 宰 ,  徐 ディビッド ,  徐 順 愛
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (3件)： 磯野 道造 ,  多田 悦夫 ,  柏木 忍
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-325891
公開番号（公開出願番号）：特開2006-140489
出願日： 2005年11月10日
公開日（公表日）： 2006年06月01日
要約：

【課題】製造が簡単であり、低電力駆動が可能であり、高速の動作特性を有する一つの抵抗体(R)及び一つのダイオード(D)を備えた新たな構造の不揮発性半導体メモリ素子を提供する。【解決手段】基板10と、基板10上に形成された下部電極11と、下部電極11上に形成された第1抵抗層12と、第1抵抗層12上に形成された第2抵抗層13と、第2抵抗層13上に形成された第1酸化層14と、第1酸化層14上に形成された第2酸化層15と、第2酸化層15上に形成された上部電極16と、を備える揮発性メモリ素子である。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に形成された下部電極と、 前記下部電極上に形成された抵抗構造体と、 前記抵抗構造体上に形成されたダイオード構造体と、 前記ダイオード構造体上に形成された上部電極と、 を備えることを特徴とする一つの抵抗体及び一つのダイオードを有する不揮発性メモリ素子。

IPC (2件)：

H01L 27/10 ,  G11C 13/00

FI (2件)：

H01L27/10 451 ,  G11C13/00 A

Fターム (5件)：

5F083FZ10 ,  5F083JA21 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083PR22

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 電子回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-016018   出願人：キヤノン株式会社
• 酸化物電子装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-097816   出願人：富士通株式会社
• ZnO系酸化物半導体層を有する半導体装置の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-278043   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, ローム株式会社