結晶学的に配向されたライナー層を利用した、狭いアパーチャに対する金属の充填及び相互接続の形成

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-208643
公開番号（公開出願番号）：特開平9-120991
出願日： 1996年08月07日
公開日（公表日）： 1997年05月06日
要約：

【要約】【課題】誘電体層に形成されたアスペクト比の大きい及びコンタクトの充填にとりわけ有効な、また、電気移動に対する抵抗力が強い相互接続の形成にも有効な、アルミニウム・スパッタ・プロセスを提供する。【解決手段】誘導結合プラズマを用いて実施されるような、高密度プラズマPVDによって、ライナー層の堆積を行なう。ライナー層の第1の下層はTi層である。第2の下層はTiNを含む。第3の下層はTiを含むがTiNからTiに漸変させるのが望ましい。ライナー層の上のアルミニウム層はライナー層によって320〜500 ゚Cの範囲の、できれば、350〜420 ゚Cの範囲の比較的低い温度で、アルミニウム堆積の最も熱い部分を実施することが可能になるが、同時に、狭いプラグ・ホールの充填も行われることになり、TiNにアニールを施して、シリコン内への拡散に対する有効なバリアを形成する必要がなくなる。

請求項（抜粋）：

基板上にスパッタを行なう方法であって、高密度プラズマ中において前記基板に対し耐熱金属の化合物を含む第1の層のスパッタ堆積を行なう第1のステップと、前記第1の層の上に、第2の金属層をスパッタ堆積する第2のステップと、を含む方法。

IPC (6件)：

H01L 21/768 , C23C 14/06 , C23C 14/34 , C23C 14/56 , H01L 21/203 , H01L 21/285 301

FI (6件)：

H01L 21/90 C , C23C 14/06 N , C23C 14/34 M , C23C 14/56 H , H01L 21/203 S , H01L 21/285 301 L

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平3-255624
特表平5-507963
特開平1-139762

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