半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-262292
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112478
出願日： 1992年09月30日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】高速かつ微細化可能なMOSFET構造とその製法を提供する。【構成】チャネル部に基板11と同電導型の濃い不純物層13をイオン注入法で形成し、ソース・ドレイン拡散層15形成後、基板11と反対の電導型のイオンを注入し、チャネル部の濃い不純物層13の濃度を拡散層付近で低減化する。チャネル中央付近のみに基板11と同電導型の濃い不純物層13を有し、ソース/ドレイン拡散層15付近の不純物濃度を低くする。【効果】ソース/ドレイン拡散層付近の不純物濃度を低くできるため、その接合容量を低減化でき、交流動作において高速化できる。弱反転状態では実効的なチャネル長を短くできるため、相互コンダクタンスを向上させることができる。さらに、パンチスルー耐圧の向上も達成することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の素子形成領域と同電導型でかつ該領域より濃い不純物層がチャネルの中央部のみに存在し、ソース及びドレイン拡散層付近には存在しないことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/784 , H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 29/78 301 H , H01L 21/265 L , H01L 21/265 W

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭61-292963
特開平1-120067
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-272225 出願人：シヤープ株式会社

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