特許
J-GLOBAL ID：200903039336607603

基板上に誘電体層を形成するためのスパッタリング装置及び方法

発明者：
レイハン ジョン

レイハン ジョン について

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バイオラム ヘンリー

バイオラム ヘンリー について

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ヒル ラッセル ジェイ

ヒル ラッセル ジェイ について

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ラフ ジェイ カークウッド

ラフ ジェイ カークウッド について


出願人/特許権者：
ザ ビーオーシー グループ インコーポレイテッド

ザ ビーオーシー グループ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 中村 稔 (外6名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-532633
公開番号（公開出願番号）：特表平10-509773
出願日： 1996年04月23日
公開日（公表日）： 1998年09月22日
要約：
【要約】10kHz-100kHzの範囲にあるAC電源(59)を用いるスパッタリング装置が2つの回転可能な円筒形マグネトロン(60、62)を使用する。回転可能な円筒形マグネトロン(60、62)は、基板(80)上に誘電体層を堆積するために用いられた場合、ターゲット(64、65)上に堆積される誘電体材料をきれいにする。これにより、ターゲット(64、65)上の誘電体層がキャパシタのように働くの防ぎ、アークを避ける助けとなる。更に、インピーダンス制限キャパシタ(58)がアークを減少するようにトランス(54)を介してターゲット(64、65)間の電気通路に直列に配置される。このインピーダンス制限キャパシタ(58)は、無線周波数スパッタリング装置において、電源(59)をターゲット(64、65)に接続するために用いられたキャパシタより非常に大きな値を有している。
請求項（抜粋）：
基板上に誘電体層を形成するためのスパッタリング装置であって、 2つの極を有する交流電源と、 前記交流電源は、第1の極が第2の極より多くの正電圧を有する正部分、および第1の極が第2の極より多くの負電圧を有する負部分を有する電源信号を生成するのに適合され、 チャンバと、 前記チャンバ内の回転可能なマグネトロンと、 前記回転可能なマグネトロンは、前記交流電源の第1の極にある電源信号とプラズマに向けられるのに適合した磁石アッセンブリに応答する円筒形のチューブ状ターゲットを有して、円筒形のチューブ状ターゲット上に浸食ゾーンを形成し、前記浸食ゾーンは、電源の負部分が円筒形のチューブ状ターゲットに供給されたときのスパッタされた領域であり、前記円筒形のチューブ状ターゲットは、前記円筒形ターゲットが回転するにつれて、前記浸食ゾーンが前記円筒形ターゲットの異なる部分に位置されるように、また前記ターゲットのスパッタリングがターゲット上に堆積された誘電体材料を除去するように回転するのに適合されて、ターゲットのきれいにされた部分を形成し、且つ浸食ゾーンから離れた部分のターゲットのきれいにされた部分からの前記誘電体の除去は、電源の正の部分が前記円筒形のチューブ状ターゲットに供給されたとき、プラズマにおける電極に見られるターゲットのインピーダンスを減少し、従ってアークを阻止することができ、及び 交流電源の第2の極にある電源信号に応答する、チャンバにおける電気的導電性部材と、 を有することを特徴とするスパッタリング装置。
IPC (2件)：
C23C 14/35 ,  C23C 14/34
FI (2件)：
C23C 14/35 B ,  C23C 14/34 T
引用特許：
審査官引用 (6件)
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