特許
J-GLOBAL ID：200903039349506989
エピタキシャルウェーハの製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寺田 實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-031578
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240372
出願日： 1994年03月01日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：
【要約】【目的】 GaP基板上に結晶性の良好なAlGaInP系DH構造を有するエピタキシャルウェーハと当該ウェーハを使用した高輝度のLEDを提供すること。【構成】 GaP基板上に格子定数の異なるAlGaInPエピタキシャル層のバッファ層を成長した後、その当該表面をポリッシュし、再度結晶成長することで結晶性の良好なDH構造を作製する。【効果】 バッファ層成長後にその当該表面をポリッシュすることで、再度結晶成長する場合の成長初期で格子ミスマッチの影響が低減された良好な結晶が得られる。当該エピタキシャルウェーハを用いて作製したLEDについては従来構造より高輝度のものが得られる。
請求項（抜粋）：
III-V族化合物半導体基板上に基板と異なる格子定数を有する III-V族化合物半導体の能動層構造を有するエピタキシャルウェーハの製造方法において、基板上に能動層と同じ格子定数を有するバッファ層を成長させた後に、当該バッファ層表面をポリッシュし、その後再度能動層のエピタキシャル成長を行うことを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/20
, C30B 25/18
, C30B 29/40 502
, H01L 21/304 321
, H01L 33/00
