特許
J-GLOBAL ID：200903039381127299

不揮発性半導体メモリ

発明者：
三原 雅章

三原 雅章 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (2件)： 河宮 治 ,  石野 正弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-209808
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055012
出願日： 2002年07月18日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】不揮発性半導体メモリにおいて、書込みに要する電流ピークを下げると共にホットエレクトロンの発生効率を増加させることにより、書込み時間を短縮する。【解決手段】コントロールゲートとフローティングゲートを有して、フローティングゲートへの電子の注入とフローティングゲートからの電子の放出によってデータを記憶するメモリ素子を設けた不揮発性半導体メモリにおいて、メモリ素子のドレインに供給されるドレイン電流を検出する電流検出回路と、メモリ素子のコントロールゲートに供給されるコントロールゲート電圧を、電流検出回路が検出したドレイン電流に従って制御する電圧制御回路とを備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
コントロールゲートとフローティングゲートを有して、前記フローティングゲートへの電子の注入と前記フローティングゲートからの電子の放出によってデータを記憶するメモリ素子を設けた不揮発性半導体メモリにおいて、 前記メモリ素子のドレインに供給されるドレイン電流を検出する電流検出回路と、前記メモリ素子の前記コントロールゲートに供給されるコントロールゲート電圧を、前記電流検出回路が検出した前記ドレイン電流に従って制御する電圧制御回路とを備えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ。
IPC (1件)：
G11C16/06
FI (3件)：
G11C17/00 633Z ,  G11C17/00 634Z ,  G11C17/00 632Z
Fターム (4件)：
5B025AD04 ,  5B025AD09 ,  5B025AD11 ,  5B025AE07
引用特許：
審査官引用 (4件)
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