特許
J-GLOBAL ID:200903039404365320
ポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法及び該ポジ型レジスト組成物に用いられる化合物
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
高松 猛
, 矢澤 清純
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-074737
公開番号(公開出願番号):特開2009-229773
出願日: 2008年03月21日
公開日(公表日): 2009年10月08日
要約:
【課題】通常露光(ドライ露光)、液浸露光、二重露光において、ラインエッジラフネス、現像欠陥が改良された、ポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法及び該ポジ型レジスト組成物に用いられる化合物を提供する。【解決手段】(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び(B)特定構造の基によって保護された酸基を有し、酸の作用により分解して酸基を生成する繰り返し単位を有する樹脂を含有するポジ型レジスト組成物該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法及び該ポジ型レジスト組成物に用いられる化合物。【選択図】なし
請求項(抜粋):
(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び
(B)下記一般式(Pr)で表される基によって保護された酸基を有し、酸の作用により分解して酸基を生成する繰り返し単位を有する樹脂
を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (6件):
G03F 7/039
, G03F 7/004
, C08F 20/00
, C08F 12/00
, C08F 16/30
, H01L 21/027
FI (6件):
G03F7/039 601
, G03F7/004 501
, C08F20/00
, C08F12/00
, C08F16/30
, H01L21/30 502R
Fターム (48件):
2H025AA02
, 2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE07
, 2H025BF02
, 2H025BF11
, 2H025BG00
, 2H025CC20
, 2H025DA01
, 2H025FA01
, 2H025FA10
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 4J100AB07P
, 4J100AE09P
, 4J100AE18P
, 4J100AG08P
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AL08S
, 4J100AM21P
, 4J100BA02P
, 4J100BA11P
, 4J100BA15P
, 4J100BA28P
, 4J100BA55P
, 4J100BA58P
, 4J100BB07P
, 4J100BB12P
, 4J100BC03P
, 4J100BC04P
, 4J100BC08P
, 4J100BC09P
, 4J100BC12P
, 4J100BC43P
, 4J100BC53P
, 4J100BC58P
, 4J100BD10P
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100JA38
引用特許:
出願人引用 (5件)
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特開昭57-153433号公報
-
パターン形成方法及びその露光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-008136
出願人:株式会社日立製作所
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国際公開第04/077158号パンフレット
-
国際公開第04/068242号パンフレット
-
レジストパタン形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-175821
出願人:学校法人東京電機大学
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審査官引用 (2件)
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