特許

J-GLOBAL ID：200903039406667838

シリコンウエハ加工方法

発明者： 進藤 智
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-074811
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280355
出願日： 2001年03月15日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】 シリコンウエハ上に共振器や赤外線センサなどの素子を形成した後に、シリコンウエハの裏面を厚み方向に薄くエッチングするとき、シリコンウエハの表面を保護膜で覆い、かつ、素子などにダメージを与えることなく容易に保護膜を除去することができるシリコンウエハ加工方法を提供すること。【解決手段】シリコンウエハの表面に有機溶媒に対して可溶な第1の膜を形成し、さらにその上に、強塩基およびフッ酸に耐性がある樹脂からなる第2の膜を形成し、保護膜とする。エッチング後にシリコンウエハを有機溶媒に浸漬し第1の膜を溶解し除去すると、シリコンウエハにダメージを与えることなく、かつ、容易に保護膜である第2の膜が除去できる。

請求項（抜粋）：

一方主面がエッチング加工面であり、他方主面が非エッチング加工面であり、エッチング加工面の一部または全部がエッチング加工部であるシリコンウエハのエッチング加工部をエッチングし、シリコンウエハを薄くするシリコンウエハ加工方法であって、有機溶媒に対して可溶である第1の膜を、少なくとも非エッチング加工面の全面あるいは一部に形成する工程と、少なくとも第1の膜上に、強塩基およびフッ酸に耐性があり、シリコンウエハをエッチングから保護する樹脂からなる第2の膜を形成する工程と、シリコンウエハをシリコンエッチング液に浸漬して、エッチング加工部をエッチングする工程と、シリコンウエハを有機溶媒に浸漬して、第1の膜を除去する工程と、第1の膜を除去することで、剥離が容易になった第2の膜を除去する工程と、を少なくとも含むことを特徴とするシリコンウエハ加工方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  H01L 29/84 ,  H01L 31/02

FI (3件)：

H01L 29/84 Z ,  H01L 21/306 B ,  H01L 31/02 A

Fターム (22件)：

4M112CA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA06 ,  4M112DA08 ,  4M112DA09 ,  4M112EA02 ,  4M112EA06 ,  4M112EA14 ,  4M112EA18 ,  4M112FA20 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043CC20 ,  5F043DD07 ,  5F043DD21 ,  5F043FF04 ,  5F088AA20 ,  5F088AB01 ,  5F088CB14 ,  5F088GA04 ,  5F088HA13 ,  5F088LA01

引用特許：

出願人引用 (3件)

• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-202928   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-288605   出願人：日産自動車株式会社
• 特開平2-303128
  

審査官引用 (3件)

• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-202928   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-288605   出願人：日産自動車株式会社
• 特開平2-303128