特許

J-GLOBAL ID：200903039426078642

電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： 木下 敦寛 ,  古賀 淳二
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-282057
公開番号（公開出願番号）：特開2006-100387
出願日： 2004年09月28日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：

【課題】 ソース・ドレインの界面形状とショットキー障壁高さ、電極比抵抗を同時に制御可能なショットキートランジスタを提供する。【解決手段】 チャネル領域を構成する半導体領域112と、半導体領域112上にゲート絶縁膜113を介して形成されたゲート電極114と、ゲート電極114に対応して半導体領域112の両側に形成されたソース・ドレイン電極とを備えたMIS型電界効果トランジスタにおいて、ソース・ドレイン電極は、半導体領域112を挟んで形成され、且つキャリアがトンネル可能な厚さに形成されたトンネル絶縁膜116と、トンネル絶縁膜に接して形成された第1の金属層117と、第1の金属層117に接して形成され、第1の金属層117よりも小さい比抵抗を持つ第2の金属層118と、をチャネル長方向に積層してなる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

チャネル領域を構成する半導体領域と、前記半導体領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極に対応して前記半導体領域の両側に形成されたソース・ドレイン電極とを具備してなり、 前記ソース・ドレイン電極は、前記半導体領域にソース側及びドレイン側でそれぞれ接して形成され、且つキャリアがトンネル可能な厚さに形成されたトンネル絶縁膜と、前記トンネル絶縁膜と接してそれぞれ形成された第1の金属層と、前記第1の金属層と接してそれぞれ形成され、該金属層よりも小さい比抵抗を持つ第2の金属層と、をチャネル長方向に積層してなることを特徴とするMIS型電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/417

FI (5件)：

H01L29/78 616S ,  H01L29/78 301S ,  H01L29/78 301J ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/50 M

Fターム (95件)：

4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA05 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB40 ,  4M104CC03 ,  4M104DD29 ,  4M104DD55 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104DD84 ,  4M104EE02 ,  4M104EE09 ,  4M104EE14 ,  4M104EE17 ,  4M104FF04 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F110AA03 ,  5F110BB20 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD06 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110EE32 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG17 ,  5F110HK01 ,  5F110HK03 ,  5F110HK05 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK31 ,  5F110HK33 ,  5F110HK37 ,  5F110HK39 ,  5F110HK40 ,  5F110HK42 ,  5F110HK50 ,  5F110HM02 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ19 ,  5F140AA00 ,  5F140AA10 ,  5F140AC14 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA20 ,  5F140BC15 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG27 ,  5F140BG37 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH07 ,  5F140BJ04 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ18 ,  5F140BJ30 ,  5F140BK09 ,  5F140BK29 ,  5F140BK30 ,  5F140BK32 ,  5F140BK33 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CE08 ,  5F140CE16 ,  5F140CE20 ,  5F140CF00

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 金属ソース及びドレインを有するMOSトランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-569898   出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク
• チャネルに対するパッシブト・ショットキー障壁を有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2004-527994   出願人：エイコーン・テクノロジイズ・インコーポレーテッド