金属ソース及びドレインを有するMOSトランジスタ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外7名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-569898
公開番号（公開出願番号）：特表2003-528472
出願日： 2001年03月21日
公開日（公表日）： 2003年09月24日
要約：

【要約】本発明は、半導体材料から成るチャネル領域(120)であって、そのチャネル領域の上に、グリッド(110)とグリッドの側部を被覆する絶縁スペーサ(122)とを備えるグリッド構造を有するチャネル領域(120)と、チャネルの半導体材料に直接接触してチャネルの両側に配置しかつグリッド構造の下に配置するソース及びドレイン延長領域(116a,118a)と称される領域であって、その延長領域は非絶縁性材料から成るものであるところの領域(116a,118a)と、それぞれソース及びドレイン延長領域に接触しかつグリッド構造の下に一部延長する金属のソース及びドレイン領域(146,148)とを備えたMOSトランジスタを提供するものである。本発明は、集積回路の製造に応用できる。

請求項（抜粋）：

-半導体材料から成るチャネル領域(120)であって、そのチャネル領域(120)の上に、グリッド(110)とグリッドの側部を被覆する絶縁スペーサ(122)とを備えるグリッド構造(130)を有するチャネル領域(120)と; -チャネルの半導体材料に直接接触してチャネルの両側に配置しかつグリッド構造の下に配置するソース及びドレイン延長領域(116a,116b,118a,118b,116c,118c)と称される領域であって、その延長領域は非絶縁性材料から成るものであるところの領域と; -それぞれソース及びドレイン延長領域に接触しかつグリッド構造の下に部分的に延びる金属ソース及びドレイン領域(146,148)と;を備えた電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/265 , H01L 21/336 , H01L 29/417 , H01L 29/78

FI (6件)：

H01L 29/78 616 S , H01L 29/78 616 K , H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 301 S , H01L 21/265 W , H01L 29/50 M

Fターム (71件)：

4M104BB02 , 4M104BB03 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104BB19 , 4M104BB22 , 4M104BB24 , 4M104BB25 , 4M104BB30 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD43 , 4M104DD46 , 4M104DD75 , 4M104FF04 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F110AA01 , 5F110AA04 , 5F110AA09 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE09 , 5F110EE32 , 5F110FF02 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG24 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ11 , 5F110HJ13 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK21 , 5F110HK34 , 5F110HK40 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F140AA01 , 5F140AA02 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140AC19 , 5F140AC36 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG51 , 5F140BG53 , 5F140BH07 , 5F140BH34 , 5F140BH45 , 5F140BH49 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BJ09 , 5F140BJ29 , 5F140BJ30 , 5F140BK18

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-023619 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置の製造方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-084501 出願人：株式会社東芝
量子ドット型MOSトランジスタおよびその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-501321 出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク

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