特許
J-GLOBAL ID:200903039440866742
液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-125418
公開番号(公開出願番号):特開2006-301435
出願日: 2005年04月22日
公開日(公表日): 2006年11月02日
要約:
【課題】IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することであり、パターン倒れおよびドライエッチング耐性が改善された液浸露光露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)主鎖が脂環式炭化水素によって構成され、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし
請求項(抜粋):
(A)主鎖が脂環式炭化水素によって構成され、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂及び
(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
を含有することを特徴とする液浸露光用ポジ型レジスト組成物。
IPC (3件):
G03F 7/039
, G03F 7/11
, H01L 21/027
FI (3件):
G03F7/039 601
, G03F7/11 501
, H01L21/30 502R
Fターム (16件):
2H025AA00
, 2H025AA03
, 2H025AA09
, 2H025AB16
, 2H025AB17
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB08
, 2H025CB41
, 2H025CB45
, 2H025DA03
, 2H025FA17
引用特許:
出願人引用 (6件)
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特開昭57-153433号公報
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パターン形成方法及びその露光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-008136
出願人:株式会社日立製作所
-
液浸型露光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-121757
出願人:株式会社ニコン
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