半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大島陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-105186
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291082
出願日： 1993年04月06日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】バリアメタル層のカバレッジ能力が低い場合でも、埋め込み電極としてのタングステンが基板内に拡散することがない半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 CVD装置を用いて六フッ化タングステンガスと該六フッ化タングステンガスに対して所定の割合のモノシランガスとをもって、バリアメタル層の上から少なくとも開口部底面を覆うようにタングステンシリサイド層を形成する過程と、該過程に連続して、前記CVD装置を用いて前記モノシランガスの割合を減少させることにより、開口部に充塞するようにタングステンシリサイド層11上にタングステン層12を形成する過程とを有する半導体装置の製造方法を提供することにより、タングステンシリサイド層11が、タングステンシリサイド層上に堆積するタングステン12のバッファとして機能するため、タングステンの基板内への拡散を防ぐことが可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に開口部を存するように形成された絶縁層と、前記開口部内面を覆うためのバリアメタル層と、前記バリアメタル層の上から少なくとも前記開口部底面を覆うように形成されたタングステンシリサイド(WSiX)層と、前記開口部に充塞するように前記タングステンシリサイド(WSiX)層上に形成されたタングステン(W)電極とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 21/205 , H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平4-313222
特開平4-324661
特開平2-165628

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