特許
J-GLOBAL ID：200903039449087800

アライメントマーク及びその製造方法

発明者：
中田 慎一

中田 慎一 について

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山本 勇司

山本 勇司 について

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岡本 守

岡本 守 について

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坂本 道昭

坂本 道昭 について

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吉川 周憲

吉川 周憲 について

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丸山 宗生

丸山 宗生 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-215894
公開番号（公開出願番号）：特開2001-042547
出願日： 1999年07月29日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】TFT側に色層を設けるアクティブマトリクス基板の製造方法では、重ね合わせ精度を小さくできず、開口率が小さくなってしまい、バックライトが有効に利用されない、樹脂ブラックマトリクス、緑色フィルタ、青色フィルタの膜厚を厚くすると、露光工程で露光アライメントレーザが吸収され、アライメントマークの検出が出来なくなるという問題がある。【解決手段】TFTを構成するソース・ドレイン電極の形成時にアライメントマーク23bを形成し、その上に赤色フィルタ13a’を厚く設ければ、その後の各色層は赤色フィルタ13a’の上で薄くなり、露光工程で露光アライメントレーザを透過して、アライメントマーク23bを精度良く検出できる。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板の上方に形成された第1アライメントマークと、前記第1アライメントマークを覆う第2アライメントマークと、からなり、前記第2アライメントマークが目合わせ用光を透過し、前記第1アライメントマークが目合わせ用光を反射することにより後工程の目合わせ基準となることを特徴とするアライメントマーク。
IPC (6件)：
G03F 9/00 ,  G02F 1/1335 500 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/027 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
G03F 9/00 H ,  G02F 1/1335 500 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/30 502 M ,  H01L 29/78 627 Z
Fターム (52件)：
2H091FA02Y ,  2H091FA35Y ,  2H091FC26 ,  2H091FD12 ,  2H091GA01 ,  2H091GA13 ,  2H091LA12 ,  2H091LA30 ,  2H092HA28 ,  2H092JA25 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA47 ,  2H092JB51 ,  2H092JB58 ,  2H092KA05 ,  2H092KB24 ,  2H092MA05 ,  2H092MA12 ,  2H092MA19 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092NA07 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H092NA30 ,  2H092PA01 ,  2H092PA08 ,  5F046EA13 ,  5F046EA18 ,  5F046EA19 ,  5F046EB01 ,  5F046FA03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG45 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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