半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮井暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-316749
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150152
出願日： 1997年11月18日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：

【要約】【課題】突起電極の高さのばらつきを吸収し、低い接続荷重で突起電極を接続することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】突起電極33の融点より低い温度で半導体素子31を加熱した状態で突起電極33を接続用電極35に接触させ、突起電極33がすべて接続用電極35に接触したときに突起電極33の融点以上に半導体素子31を加熱させ、突起電極35と接続用電極35とを金属的に接合させる。

請求項（抜粋）：

半導体素子の電極と前記半導体素子が接続される被接続体の接続用電極とを突起電極を介して接合する工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記半導体素子の電極および前記被接続体の接続用電極の少なくともいずれか一方に突起電極を形成する工程と、前記突起電極の融点より低い温度で前記突起電極を有する前記半導体素子または前記被接続体を加熱した状態で前記突起電極をこれに対向する電極に接触させる接触工程と、前記突起電極がすべてこれに対向する電極に接触した状態で前記突起電極の融点以上に前記突起電極を有する前記半導体素子または前記被接続体を加熱し、前記突起電極とこれに対向する電極とを金属的に接合させる接合工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/60 , H01L 21/56

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S , H01L 21/60 311 Q , H01L 21/56 R

引用特許：

出願人引用 (4件)

基板接続方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-317159 出願人：日本電気株式会社
特開昭63-151033
特開平3-108734

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審査官引用 (2件)

基板接続方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-317159 出願人：日本電気株式会社
特開昭63-151033

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