強磁性III-V族系化合物及びその強磁性特性の調整方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-059195
公開番号（公開出願番号）：特開2002-255695
出願日： 2001年03月02日
公開日（公表日）： 2002年09月11日
要約：

【要約】【課題】光を透過するIII-V族系化合物(GaAs, InAs, GaP, InP)を用いて強磁性が得られる強磁性III-V族系化合物の提供、およびその強磁性特性を調整することができる強磁性III-V族系化合物の強磁性特性を調整する方法を提供する。【解決手段】 VまたはCrよりなる群から選ばれる少なくとも1種の遷移金属がIII-V族系化合物のIII族元素を置換して混晶を形成する。そして、Ti, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Rh,またはRuなどその他の反強磁性の遷移金属の添加、ドーパントの添加などやこれらの遷移金属の濃度の調整、により強磁性特性を調整する。

請求項（抜粋）：

GaAs,InAs,InP,またはGaPよりなる群から選ばれるIII-V族系化合物において、VまたはCrよりなる群から選ばれる少なくとも1種の遷移金属がIII族元素を置換して混晶を形成してなることを特徴とする単結晶強磁性-V族系化合物。

IPC (2件)：

C30B 29/40 , G11B 11/105 506

FI (2件)：

C30B 29/40 A , G11B 11/105 506 Z

Fターム (13件)：

4G077AA03 , 4G077BE43 , 4G077BE44 , 4G077BE45 , 4G077BE46 , 4G077DA05 , 4G077DB08 , 4G077EB02 , 4G077HA03 , 5D075FF01 , 5D075GG02 , 5D075GG12 , 5D075GG16

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開昭55-044721
特開昭51-021196
絶縁膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-106282 出願人：株式会社アルバック

審査官引用 (3件)

特開昭55-044721
特開昭51-021196
絶縁膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-106282 出願人：株式会社アルバック

引用文献：

出願人引用 (3件)

審査官引用 (3件)

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