特許
J-GLOBAL ID：200903011079447290

絶縁膜の形成方法

発明者：
清水 三郎

清水 三郎 について

, 
園田 早紀

園田 早紀 について


出願人/特許権者：
株式会社アルバック

株式会社アルバック について


代理人 (1件)： 石島 茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-106282
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291714
出願日： 2000年04月07日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：
【要約】【課題】欠陥のないIII族窒化物薄膜/絶縁膜を形成する。【解決手段】III族窒化物薄膜52を成長させた後、ドーパントの分子線を停止させ、代わりに雰囲気中に炭化水素ガスを導入し、炭素が添加されたIII族窒化物薄膜から成る絶縁膜53を形成する。更に、炭化水素ガスの導入を停止し、III族元素を含む分子線と共にドーパントとなる分子線を発生し、絶縁膜53表面にIII族窒化物薄膜54を形成する。絶縁膜53がIII族窒化物薄膜の構造であるので、絶縁膜53とIII族窒化物薄膜52、54の界面が乱れず、欠陥が生じない。
請求項（抜粋）：
III族窒化物薄膜のエピタキシャル成長中の雰囲気に炭化水素ガスを導入し、炭素が添加されたIII族窒化物薄膜から成る絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法。
IPC (10件)：
H01L 21/314 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/203 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/80 ,  H01L 43/08
FI (14件)：
H01L 21/314 A ,  C30B 23/08 M ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/203 M ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/12 S ,  H01L 27/12 D ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 615 ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/80 Z
Fターム (58件)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DA09 ,  4G077DA15 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077HA06 ,  4G077SC02 ,  4G077SC12 ,  5F040DA01 ,  5F040DA21 ,  5F040EB11 ,  5F040EB12 ,  5F040ED03 ,  5F058BA20 ,  5F058BB01 ,  5F058BC08 ,  5F058BC10 ,  5F058BE10 ,  5F058BF20 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ10 ,  5F083FZ10 ,  5F083HA10 ,  5F083PR22 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F103AA04 ,  5F103BB08 ,  5F103DD01 ,  5F103DD02 ,  5F103GG01 ,  5F103HH04 ,  5F103JJ01 ,  5F103JJ03 ,  5F103KK01 ,  5F103KK10 ,  5F103LL20 ,  5F103PP14 ,  5F103PP18 ,  5F103RR06 ,  5F110AA12 ,  5F110AA26 ,  5F110CC01 ,  5F110DD04 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG42
引用特許：
審査官引用 (3件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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