特許
J-GLOBAL ID：200903039484946190
ZnO単結晶の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
脇 篤夫
, 鈴木 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-038778
公開番号（公開出願番号）：特開2005-225740
出願日： 2004年02月16日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：
【課題】 半絶縁性結晶からP型伝導性結晶まで幅広い用途に適したZnO単結晶製造方法を提供する。【解決手段】 水熱合成法によるZnO単結晶の育成において、そのミネラライザーとして水酸化カリウム(KOH)、水酸化リチウム(LiOH)に加えて、亜硝酸イオンを生ずるミネラライザーを加える。
請求項（抜粋）：
ZnO焼結体原料を容器下部の原料充填部に、ZnO種結晶を容器上部の結晶育成部にそれぞれ配置するとともに、亜硝酸イオン(NO2+)を含有するミネラライザーを容器に充填し、原料充填部の温度が結晶育成部の温度より高くなるように容器内温度を制御して水熱条件下でZnO単結晶を育成すること
を特徴とするZnO単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
4G077AA02
, 4G077BB07
, 4G077CB04
, 4G077EA02
, 4G077EC10
, 4G077ED01
, 4G077HA06
, 4G077KA03
, 4G077KA05
