縮小された活性領域を有する赤外放射検出器

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田研二 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-521378
公開番号（公開出願番号）：特表2000-501832
出願日： 1996年12月04日
公開日（公表日）： 2000年02月15日
要約：

【要約】マイクロブリッジ検出器は、その画素収集領域よりも小さい活性領域を具備している。マイクロブリッジ検出器は、第1のレベルの半導体基板と、半導体基板上に配置されたマイクロブリッジレベルとを含んでいる。マイクロブリツジレベルは、マイクロブリッジ検出器の活性領域の四角形領域よりも大きい画素収集領域を有する活性領域を含んでいる。さらに、下方伸延脚部は、マイクロブリッジレベルの連続部であり、マイクロブリッジレベルと半導体基板との間に熱隔離ギャップが存在するように、半導体基板上にマイクロブリッジレベルを支持している。さらに、下方伸延脚部内に導電性経路が含まれており、この導電性経路はマイクロブリッジレベル内の活性領域を半導体基板に接続している。本装置では、マイクロブリッジ検出器には、その充填率よりも大きい画素収集領域が設けられており、これによって増強された光学収集感度が与えられている。さらに、本装置では、マイクロブリッジ検出装置は、マイクロブリッジレベルを小さくする必要なく活性領域をより小さくして製造することができ、よって、製造技術には制限されない。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に配置されたマイクロブリッジであって、マイクロブリッジ検出器の画素収集領域よりも小さい活性領域を含むマイクロブリッジと、前記マイクロブリッジの連続部であり、前記マイクロブリッジと前記半導体基板との間に熱隔離ギャップが存在するように前記半導体基板上にマイクロブリッジを支持する下方伸延脚部と、前記活性領域を前記半導体基板に接続する前記下方伸延脚部内に含まれている導電性経路とを備えているマイクロブリッジ検出器。

IPC (6件)：

G01J 1/44 , G01J 1/02 , G01J 5/16 , G01J 5/48 , H01L 31/0264 , H01L 31/10

FI (7件)：

G01J 1/44 P , G01J 1/02 H , G01J 1/02 Q , G01J 5/16 , G01J 5/48 A , H01L 31/08 N , H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (10件)

赤外線センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-249027 出願人：テルモ株式会社
赤外線センサおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-183116 出願人：日本電気株式会社
特表平7-509057

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