特許
J-GLOBAL ID:200903039515058469
硬化ナノインプリントスタンプ
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
古谷 聡
, 溝部 孝彦
, 西山 清春
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-364008
公開番号(公開出願番号):特開2004-148494
出願日: 2003年10月24日
公開日(公表日): 2004年05月27日
要約:
【課題】 磨耗や破損に強いナノインプリントスタンプを提供すること。【解決手段】 硬化ナノインプリントスタンプ10及び該硬化ナノインプリントスタンプ10の形成方法を開示する。硬化ナノインプリントスタンプ10は複数のシリコン製の極小形状部12を有し、この極小形状部12が炭化ケイ素、窒化ケイ素または炭化窒化ケイ素からなる硬化外殻20を有する。硬化外殻20は、プラズマ浸炭処理および/またはプラズマ窒化処理によって、基礎部分のシリコンよりも硬化される。プラズマ処理中は炭素原子C及び/又は窒素原子Nが極小形状部12の複数の露出面に衝突してそれらが露出面から浸透し、シリコン(Si)と反応して炭化ケイ素、窒化ケイ素または炭化窒化ケイ素からなる硬化外殻20が形成される。その結果、硬化ナノインプリントスタンプ10の寿命、耐久性、及び経済性が向上する。【選択図】 図11
請求項(抜粋):
基準面(13)を有する基板(11)と、
前記基板(11)に接続され、前記基準面(13)から外側へ延びる複数の極小形状部(12)であって、該極小形状部(12)が転写形状を画定する外面を有し、該極小形状部(12)がシリコンおよびポリシリコンからなるグループの中から選択された材料から形成される、複数の極小形状部(12)と、
前記外面の内側へ所定の深さdだけ延び、炭化ケイ素、窒化ケイ素および炭化窒化ケイ素からなるグループの中から選択された材料から形成された、外殻(20)と、
からなる硬化ナノインプリントスタンプ(10)であって、前記硬化外殻(20)は、前記ナノインプリントスタンプ(10)を転写先の媒体(53)と繰り返し係合させる間、前記極小形状部(12)の転写形状を維持する働きをもつ、硬化ナノインプリントスタンプ(10)。
IPC (2件):
FI (2件):
B82B3/00
, H01L21/30 502D
Fターム (1件):
引用特許:
審査官引用 (12件)
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特開昭63-255849
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特開昭62-213252
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回転体
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-393433
出願人:ティーディーケイ株式会社
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-236120
出願人:新日本製鐵株式会社
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特開昭62-214613
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溶融亜鉛めっき用ポットロール及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-318525
出願人:新日本製鐵株式会社
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特開昭62-213252
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特開昭63-255849
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特開昭62-214613
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マイクロ構造層の熱転写
公報種別:公表公報
出願番号:特願2001-541700
出願人:スリーエムイノベイティブプロパティズカンパニー
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特開昭63-255849
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特開昭62-214613
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