特許

J-GLOBAL ID：200903039536755399

粒状多層磁気抵抗センサ

発明者： ケビン・ロバート・コフィー ,  ジェームズ・ケント・ハワード ,  トッド・レーニエ・ヒルトン ,  マイケル・アンドリュー・パーカー
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-073496
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326377
出願日： 1994年04月12日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】 粒状多層構造におけるGMR効果に基づく低磁界MR磁気センサを提供すること。【構成】 磁気抵抗読取りセンサは、非磁性導電材料中に埋め込まれた全般的に平らな強磁性材料粒子の層を複数含む、粒状多層感知素子を組み込んでいる。磁気抵抗感知素子からスペーサ層によって分離されたバイアス層が、磁気抵抗感知素子を所望の非信号点でバイアスするための磁界を提供する。強磁性材料と非磁性材料は互いに非混和性であるが、混和性または部分的混和性であって相互拡散を抑制する方式で処理することもできる。【効果】 本発明によって、粒状多層構造におけるMR効果に基づく低磁界MR磁気センサが提供される。

請求項（抜粋）：

非磁性の導電性材料中に埋め込まれた強磁性材料の不連続層を少なくとも1つ含む磁気抵抗感知素子を備える、粒状多層磁気抵抗センサ。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/06 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 磁気抵抗素子用磁性薄膜およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-311016   出願人：日立マクセル株式会社
• 磁気抵抗トランスデューサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-152321   出願人：トムソン-セーエスエフ