特許

J-GLOBAL ID：200903039545753870

上部層の一部を除去する中間層リソグラフィ法

発明者： ジェフリー エイ.マッキィ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-185161
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237777
出願日： 1996年07月15日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：

【要約】【課題】 中間層を使用して、リソグラフィ寸法以下の微細パターンを定義する方法を得る。【解決手段】 リソグラフィによってパターン化されたフォトレジスト(211,212)を等方的、または部分的に等方的なエッチングによって縮小させ、エッチストップとしてもあるいはダミー層としても機能する埋め込み反射防止被覆を備えた縮小した線幅のパターン化されたフォトレジスト(213,214)を形成する。縮小した線幅パターン(213,214)が、ポリシリコン(206)、金属、または絶縁体、あるいは強誘電体等の下層材料の、次に続く異方性エッチングのためのエッチマスクを提供する。

請求項（抜粋）：

リソグラフィの方法であって、次の工程、(a)パターニングすべき底部層を供給すること、(b)前記底部層を覆って中間層を形成すること、(c)前記中間層を覆って放射に敏感な上部層を形成すること、(d)前記上部層を放射で以てパターニングして、パターン化された上部層を形成すること、(e)前記パターン化された上部層の一部を横方向へ、前記中間層の露出部分を縦方向に同時に除去することによって、パターン化された中間層の上に縮小したパターン化上部層を形成すること、および(f)前記パターン化された中間層を少なくともマスクの一部として使用して、前記底部層の一部を除去すること、を含む方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/11 ,  G03F 7/26 513 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/306

FI (5件)：

H01L 21/302 J ,  G03F 7/11 ,  G03F 7/26 513 ,  H01L 21/30 574 ,  H01L 21/306 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-098367   出願人：富士通株式会社
• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-191076   出願人：株式会社東芝