特許
J-GLOBAL ID：200903039549480470

エピタキシャル成膜装置およびエピタキシャル成膜方法

発明者：
岸本 大輔

岸本 大輔 について

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俵 武志

俵 武志 について

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和泉 俊介

和泉 俊介 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-122107
公開番号（公開出願番号）：特開2006-303152
出願日： 2005年04月20日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：
【課題】様々なプロセス条件で膜質、膜厚、不純物濃度等の均一性が良好なSiCエピタキシャル膜を形成するエピタキシャル成膜装置を提供する。【解決手段】材料ガス30を、反応炉2内のサセプタ5とグラファイト板9の間の領域に、サセプタ5上に載置されたSiCウェハ20の平面方向で反応炉2の内壁に沿う方向に層流で周回するように供給口7から供給する。SiCウェハ20の温度は、パイロメータ11の検出温度に基づき、反応炉2の外部に設けた高周波コイル6とハロゲンランプ10によって制御する。材料ガス30がSiCウェハ20の表面領域を周回することにより、エピタキシャル成膜装置1にウェハ回転機構を設けることなく、SiCウェハ20に様々なプロセス条件で膜質、膜厚、不純物濃度等の均一性の良いSiCエピタキシャル膜を形成することが可能になる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
エピタキシャル膜の形成を行うエピタキシャル成膜装置において、 円筒状の内壁を有する反応炉と、 前記反応炉内に設けられて前記エピタキシャル膜の形成される面の平面方向が前記内壁と略直交する方向になるようにウェハが載置されるサセプタと、 前記サセプタ上に載置された前記ウェハを加熱する第1の加熱手段と、 前記ウェハの前記エピタキシャル膜の形成される面に略平行な方向であって前記反応炉の内壁に沿う方向に周回するように材料ガスを前記反応炉内に供給する供給口と、 前記反応炉内の前記材料ガスを排気する排気口と、 を有することを特徴とするエピタキシャル成膜装置。
IPC (1件)：
H01L 21/205
FI (1件)：
H01L21/205
Fターム (17件)：
5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC15 ,  5F045AD18 ,  5F045AE23 ,  5F045AF03 ,  5F045BB01 ,  5F045BB04 ,  5F045BB12 ,  5F045DP04 ,  5F045DP15 ,  5F045DP27 ,  5F045DQ05 ,  5F045GB05
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • バレル型気相成長装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-024703   出願人：信越半導体株式会社
  • CVD装置および薄膜製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-048887   出願人：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 住友電気工業株式会社, 三菱商事株式会社
審査官引用 (4件)
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