特許
J-GLOBAL ID：200903039565719717
フォトリソグラフィー工程におけるベストフォーカス点検出方法およびそれに用いるレチクル
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-250678
公開番号（公開出願番号）：特開平10-097971
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：
【要約】【課題】 ベストフォーカス点の検出を簡単にかつ精度良く行うことのできる方法およびそれに用いるレチクルを提供する。【解決手段】 2つの三角形パターン1a、1bの一つの頂点同士が点接触したフォーカス管理用パターン1を有するレチクルを用いて、レジストに対して露光装置のフォーカス設定値を一定幅で振って露光を行う。次に、そのレジストに現像処理を施すと、フォーカス管理用パターン1が異なる解像状態で転写された複数のレジストパターンが形成される。そして、光学顕微鏡を用いてこれらレジストパターンの外観検査を行い、レジストパターンとして2つの三角形の頂点同士が点接触した状態となる時の露光装置のフォーカス設定値をベストフォーカス点と比較する。
請求項（抜粋）：
2つ以上の多角形パターンからなり、隣り合う2つの多角形パターンの各々のいずれか一つの頂点同士が点接触したフォーカス管理用パターンを有するレチクルを用いて、半導体基板上のレジストに対して露光装置のフォーカス設定値を一定幅で振って露光を行う露光工程と、露光後のレジストに現像処理を施すことにより前記フォーカス管理用パターンが異なる形状として転写された複数のレジストパターンを形成する現像工程と、顕微鏡を用いて前記複数のレジストパターンの外観検査を行うことにより、隣り合う2つの多角形のいずれか一つの頂点同士が点接触した状態となっているレジストパターンを露光した時の露光装置のフォーカス設定値をベストフォーカス点と比較する検査工程、を有することを特徴とするフォトリソグラフィー工程におけるベストフォーカス点検出方法。
FI (2件)：
H01L 21/30 516 A
, H01L 21/30 516 B
