半導体記憶装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)： ▲柳▼川信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-190336
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040764
出願日： 1997年07月16日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】しきい値ばらつきを小さくすること。【解決手段】半導体基板4の不純物濃度を、実曲線J1に示すように半導体基板4の表面付近において半導体基板4の深い部分よりも低くなるよう構成した。

請求項（抜粋）：

容量素子と絶縁ゲート型電界効果トランジスタとにより記憶セルが構成される半導体記憶装置であって、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタのチャネル領域における基板不純物濃度の深さ方向分布が、基板表面において、反転層直下に形成される空乏層の下端においてよりも低いことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 27/10 671 Z , H01L 27/10 621 Z , H01L 29/78 301 H

引用特許：

審査官引用 (7件)

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