特許
J-GLOBAL ID：200903039578952127
ドライエッチングにおける基板入射イオンのエネルギー制御方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
八木田 茂 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-030669
公開番号（公開出願番号）：特開平10-226893
出願日： 1997年02月14日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：
【要約】【課題】交番電場または高周波電場を基板電極に印加する方式のエッチング装置において交番電位または高周波電位印加時間/一周期の時間であるデューティ比を変えることにより、容易に基板に入射するイオンのエネルギーを変えることができるようにしたドライエッチングにおける基板入射イオンのエネルギー制御方法及び装置を提供する。【解決手段】基板電極に印加する交番電力または高周波電力の波形を矩形波とし、矩形波のデューティ比を可変して基板入射イオンのエネルギーを制御することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
ハロゲン系のガスを主体とする気体を真空中に導入し、低圧で交番電力、高周波電力、マイクロ波電力等によりプラズマを形成して導入気体を分解し、発生した電子、原子、分子、ラジカル、イオンの内イオンを積極的に利用し、プラズマに接する基板電極に交番電場或いは高周波電場を印加して基板上の物質をエッチングするドライエッチングにおいて、基板電極に印加する交番電力または高周波電力の波形を矩形波とし、矩形波のデューティ比を可変して基板入射イオンのエネルギーを制御することを特徴とする基板入射イオンのエネルギー制御方法。
IPC (3件)：
C23F 4/00
, H01L 21/3065
, H05H 1/46
C23F 4/00 C
, H05H 1/46 B
, H01L 21/302 B
