特許
J-GLOBAL ID：200903039612133050
液晶表示装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-219022
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064370
出願日： 1995年08月28日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】 低温で形成できるプラズマ窒化シリコン膜では、透過率が50%程度と低く、液晶表示装置のパッシベーション膜にプラズマ窒化シリコンを用いることはできない。【課題解決手段】 絶縁性基板1上に形成したポリシリコン層2にチャネル領域、ソース領域5及びドレイン領域6を形成されポリシリコン層2及びゲート絶縁膜3及びゲート電極4形成後、少なくとも薄膜トランジスタのチャネル領域、ソース領域5及びドレイン領域6及び画素部の上方に水素を含有した酸化窒化シリコン膜10を形成する。次に、熱処理により、酸化窒化シリコン膜10中の水素をチャネル領域、ソース領域5及びドレイン領域6に拡散させる。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に堆積されたポリシリコン層にチャネル領域、ドレイン領域及びソース領域が形成された薄膜トランジスタ及び画素部を有する液晶表示装置の製造方法において、ポリシリコン層及びゲート絶縁膜及びゲート電極、ドレイン電極及びソース電極を形成した後、少なくとも上記薄膜トランジスタのチャネル領域、ドレイン領域及びソース領域及び上記画素部の上方に水素を含有した酸化窒化シリコン膜を形成する工程と、熱処理により、上記酸化窒化シリコン膜中の水素を上記チャネル領域、ドレイン領域及びソース領域に拡散させて、該チャネル領域、ドレイン領域及びソース領域を水素化することを特徴とする、液晶表示装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/1333 505
, G02F 1/136 500
, H01L 21/205
, C23C 16/30
H01L 29/78 627 E
, G02F 1/1333 505
, G02F 1/136 500
, H01L 21/205
, C23C 16/30
, H01L 29/78 619 A
