最新BEOL配線構造でのHDPCVD/PECVD2層キャップとその製法

発明者： , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：坂口博 , 市位嘉宏 , 上野剛史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-560977
公開番号（公開出願番号）：特表2005-515634
出願日： 2002年11月22日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：

【課題】最新の後工程(BEOL)メタライゼーション構造が開示される。【解決手段】構造は2層拡散バリアすなわちキャップを含み、第1のキャップ層(116、123)は、好ましくは高密度プラズマ化学気相成長(HDP CVD)法により堆積された誘電体からなり、また第2のキャップ層(117、124)は、好ましくはプラズマ化学気相成長(PE CVD)法により堆積された誘電体からなる。BEOLメタライゼーション成長の形成方法も開示される。本発明は、層間絶縁膜(ILD)としてlow-k誘電体を、導体として銅を含む配線構造において特に有用である。

請求項（抜粋）：

基板(110)上に形成される配線構造であって、前記基板(110)の上に重なる誘電体層(112、119); 前記誘電体層(112、119)上のハードマスク層(113、120)であって、上部表面を有する前記ハードマスク層(113、120); 前記誘電体層(112、119)に埋め込まれ、前記ハードマスク層(113、120)の前記上部表面と面一の上部表面を有する少なくとも1つの導体(115、122); 前記少なくとも1つの導体(115、122)上、および前記ハードマスク層(113、120)上の第1のキャップ層(116、123);および前記第1のキャップ層(116、123)上の少なくとも1つの第2のキャップ層(117、124) を備える構造。

IPC (1件)：

H01L21/768

FI (1件)：

H01L21/90 J

Fターム (63件)：

5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK34 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP14 , 5F033QQ09 , 5F033QQ28 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ49 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR11 , 5F033RR20 , 5F033RR21 , 5F033RR25 , 5F033RR29 , 5F033SS01 , 5F033SS02 , 5F033SS07 , 5F033SS15 , 5F033SS21 , 5F033TT02 , 5F033TT04 , 5F033WW00 , 5F033WW03 , 5F033WW04 , 5F033WW05 , 5F033WW09 , 5F033XX05 , 5F033XX14 , 5F033XX19 , 5F033XX28

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国特許出願第09/858,687号
米国特許出願第09/550,943号

審査官引用 (2件)

半導体装置、その製造方法及び製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-185275 出願人：日本電気株式会社
集積回路誘電体及びその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-148665 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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