特許
J-GLOBAL ID:200903039630992159
厚膜用ポジ型ホトレジスト組成物、ホトレジスト膜およびこれを用いたバンプ形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
曾我 道照 (外7名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-061565
公開番号(公開出願番号):特開2002-258479
出願日: 2001年03月06日
公開日(公表日): 2002年09月11日
要約:
【要約】【課題】 基板との密着性、耐メッキ液性、現像性、基板からの剥離性に優れ、バンプ形成用材料として好適な厚膜形成に適するポジ型ホトレジスト組成物、ホトレジスト膜およびこれを用いたバンプ形成方法の提供。【解決手段】 (A)アルカリ可溶性ノボラック樹脂、(B)アルカリ可溶性アクリル樹脂、(C)キノンジアジド基含有化合物を含有する厚さ5〜100μmの厚膜用ポジ型ホトレジスト組成物であり、(B)成分が(b1)エーテル結合を有する重合性化合物から誘導された構成単位30〜90重量%、および(b2)カルボキシル基を有する重合性化合物から誘導された構成単位50〜2重量%を含有する。この組成物を基材上に塗布、乾燥してホトレジスト膜を得る。さらに該組成物を電子部品の基板上に塗布し、パターニングし、メッキ処理しバンプを形成する。
請求項(抜粋):
(A)アルカリ可溶性ノボラック樹脂、(B)アルカリ可溶性アクリル樹脂、(C)キノンジアジド基含有化合物を含有する厚さ5〜100μmの厚膜用ポジ型ホトレジスト組成物において、前記(B)アルカリ可溶性アクリル樹脂が、(b1)エーテル結合を有する重合性化合物から誘導された構成単位30〜90重量%、および(b2)カルボキシル基を有する重合性化合物から誘導された構成単位50〜2重量%を含有することを特徴とする厚膜用ポジ型ホトレジスト組成物。
IPC (9件):
G03F 7/032
, C08F220/26
, C08K 5/28
, C08K 5/42
, C08L 33/00
, C08L 61/10
, G03F 7/022 601
, G03F 7/40 521
, H01L 21/027
FI (9件):
G03F 7/032
, C08F220/26
, C08K 5/28
, C08K 5/42
, C08L 33/00
, C08L 61/10
, G03F 7/022 601
, G03F 7/40 521
, H01L 21/30 502 R
Fターム (68件):
2H025AA00
, 2H025AA04
, 2H025AA14
, 2H025AB15
, 2H025AB16
, 2H025AC01
, 2H025AD03
, 2H025BE01
, 2H025CB14
, 2H025CB29
, 2H025CB43
, 2H025CB52
, 2H025CB55
, 2H025FA03
, 2H025FA17
, 2H025FA43
, 2H096AA00
, 2H096AA25
, 2H096AA26
, 2H096BA10
, 2H096BA20
, 2H096EA02
, 2H096GA08
, 2H096HA27
, 2H096JA04
, 4J002BG01X
, 4J002BG07X
, 4J002BH02X
, 4J002CC03W
, 4J002CC04W
, 4J002CC05W
, 4J002EQ036
, 4J002EV246
, 4J002FD010
, 4J002FD090
, 4J002GP03
, 4J002HA05
, 4J100AB02R
, 4J100AB03R
, 4J100AC03R
, 4J100AC04R
, 4J100AG04R
, 4J100AJ01Q
, 4J100AJ02Q
, 4J100AJ08Q
, 4J100AJ09Q
, 4J100AL03R
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AL09P
, 4J100AL09R
, 4J100AL34R
, 4J100AL91Q
, 4J100AM02R
, 4J100AM15R
, 4J100AS02R
, 4J100AS03R
, 4J100BA05P
, 4J100BA08P
, 4J100BA16Q
, 4J100BC43P
, 4J100BC43R
, 4J100BC58P
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100FA03
, 4J100JA38
引用特許:
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