特許
J-GLOBAL ID：200903039650516868
半導体装置の多層配線構造体の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-287741
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148563
出願日： 1994年11月22日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【目的】配線材料の種類に限定が無く、配線の厚さが均一であり、さらに電気的接続性にすぐれた高信頼性の多層配線構造体の形成方法を提供すること。【構成】半導体基板1の表面の酸化シリコン膜2上液相成長法によってフッ素含有酸化シリコン膜4Aを選択的に形成して配線溝を形成し、導電膜を形成し、エッチバック/または化学・機械研磨を行ない第一の配線層を形成し、酸化シリコン膜10、フッ素含有酸化シリコン膜12を形成することによりビアホールを形成し、ビアホールを導電膜で埋めた後、第二の金属配線層を第一の配線層と同様に形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に形成された酸化シリコンを主成分とする第一の絶縁膜上の所定の位置に、第一のレジスト膜パターンを形成し、過飽和のケイフッ化水素酸水溶液中に浸漬して前記第一のレジスト膜パターンをマスクとして酸化シリコンを堆積させた後前記第一のレジスト膜を除去することによって第一の配線溝を有するフッ素含有酸化シリコン膜でなる第二の絶縁膜を形成し、前記第一の配線溝部を含む全面に第一の導電膜を形成し、ドライエッチングおよびまたは化学・機械研磨法によって前記第一の配線溝内を除き前記第一の導電膜を除去することにより第一の配線層を形成する工程と、酸化シリコンを主成分とする下地膜を全面に堆積した後前記第一の配線層の上方を選択的に被覆する第二のレジスト膜パターンを形成し、過飽和のケイフッ化水素酸水溶液中に浸漬して前記第二のレジスト膜パターンをマスクとして酸化シリコンを堆積させた後前記第二のレジスト膜パターンを除去することによって所定の開口を有するフッ素含有酸化シリコン膜を形成し、反応性イオンエッチングによって前記開口部に露出する前記下地膜を除去することによってビアホールを有する第三の絶縁膜を形成する工程と、前記ビアホール内に第二の導電膜を選択的に形成する工程と、前記ビアホール内の第二の導電膜の表面を被覆する第三のレジスト膜パターンを形成し、過飽和のケイフッ化水素酸水溶液中に浸漬して前記第三のレジスト膜パターンをマスクとして酸化シリコンを析出させた後前記第三のレジスト膜を除去することによって第二の配線溝を有するフッ素含有酸化シリコン膜でなる第四の絶縁膜を形成し、前記第二の配線溝部を含む全面に第三の導電膜を形成し、ドライエッチングおよびまたは化学・機械研磨法によって前記第二の配線溝内を除き前記第三の導電膜を除去することにより第二の配線層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の多層配線構造体の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/768
, H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 21/3205
H01L 21/90 B
, H01L 21/88 R
