特許
J-GLOBAL ID：200903039658681345
磁気記録媒体および磁気記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-061225
公開番号（公開出願番号）：特開2005-222669
出願日： 2004年03月04日
公開日（公表日）： 2005年08月18日
要約：
【課題】 高S/N比と書き込まれたビットの優れた熱安定性を両立し高記録密度化を図る磁気記録媒体および磁気記憶装置を提供することである。【解決手段】 基板21と、前記基板21上に、第1シード層22、第2シード層23、下地層24、非磁性中間層25、第1磁性層26、非磁性結合層28、第2磁性層29、保護層30、及び潤滑層31とが順次形成された構成とし、第1磁性層26と第2磁性層29とが非磁性結合層28を介して反強磁性的に交換結合された交換結合構造を有し、面内方向に配向した磁化は、外部磁界が印加されない状態で反平行方向に向いている。第1磁性層26及び第2磁性層29は互いに異なるキュリー温度等を有し、残留磁化の温度変化が互いに異なり、室温付近の温度での正味の残留面積磁化よりも、室温付近の温度よりも高い温度において正味の残留面積磁化が増加する構成とする。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
第1の磁性層と、
前記第1の磁性層上に形成された第2の磁性層とを備え、
前記第1の磁性層と第2の磁性層は交換結合すると共に、外部磁界が印加されない状態で第1の磁性層の磁化と第2の磁性層の磁化が互いに反平行であり、
前記第1の磁性層、第2の磁性層の各々の残留磁化をMr1、Mr2、各々の膜厚をt1、t2とすると、前記第1の磁性層及び第2の磁性層の正味の残留面積磁化は|Mr1×t1-Mr2×t2|と表され、
第1の温度における前記正味の残留面積磁化が、第1の温度よりも低い第2の温度における該正味の残留面積磁化よりも大きい磁気記録媒体。
IPC (3件)：
G11B5/66
, G11B5/02
, G11B11/10
G11B5/66
, G11B5/02 T
, G11B11/10 500
, G11B11/10 502Z
5D006BB01
, 5D006BB02
, 5D006BB07
, 5D006BB08
, 5D006CA01
, 5D075AA03
, 5D075CC39
, 5D091CC05
, 5D091CC17
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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