特許
J-GLOBAL ID：200903039677429614

デカヒドロナフタレン誘導体

発明者：
竹原 貞夫

竹原 貞夫 について

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根岸 真

根岸 真 について

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高津 晴義

高津 晴義 について

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ゲルワルト・エフ・グラーエ

ゲルワルト・エフ・グラーエ について

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ライナーブルーノ・フリングス

ライナーブルーノ・フリングス について

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コルネリア・ピッザート

コルネリア・ピッザート について


出願人/特許権者：
大日本インキ化学工業株式会社

大日本インキ化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 勝利
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-029015
公開番号（公開出願番号）：特開2000-229896
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：
【要約】【課題】 広いN相転移温度、小さい屈折率異方性、低電圧駆動や高速応答も可能なSTNあるいはTFT駆動用に好適な液晶材料である新規液晶性化合物を提供する。【解決手段】 一般式(I)【化1】(R:C原子数1〜18のアルキル基、L:CH2CH2、CH2O、OCF2他、Z:H原子、ハロゲン原子、F原子・アルコキシル基により置換可能なアルキル基、アルケニルオキシ基他)で表されるフェニルデカヒドロナフタレン誘導体。
請求項（抜粋）：
一般式(I)【化1】(式中、Rは炭素原子数1〜18のアルキル基を表し、Lは-CH2CH2-、-CH(CH3)CH2-、-CH2CH(CH3)-、-CH2O-、-OCH2-、-CF2O-、-OCF2-、-O(CH2)3-、-(CH2)3O-、-(CH2)4-又は単結合を表し、Xa、Xb及びXcはそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表し、Zは水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、シアナト基、水酸基、カルボキシル基又はフッ素原子若しくは炭素原子数1〜7のアルコキシル基により置換されていてもよい炭素原子数1〜12のアルキル基、アルコキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルカノイルオキシ基若しくはアルコキシカルボニル基を表す。また、デカヒドロナフタレン環はトランス形であり、その2,6-位はトランス配置である。)で表されるデカヒドロナフタレン誘導体。
IPC (4件)：
C07C 25/13 ,  C07C 25/18 ,  C09K 19/32 ,  G02F 1/13 500
FI (4件)：
C07C 25/13 ,  C07C 25/18 ,  C09K 19/32 ,  G02F 1/13 500
Fターム (31件)：
4H006AA01 ,  4H006AA02 ,  4H006AA03 ,  4H006AB64 ,  4H006AC11 ,  4H006AC22 ,  4H006AC28 ,  4H006AC54 ,  4H006BJ20 ,  4H006BJ30 ,  4H006BJ50 ,  4H006BM30 ,  4H006BM71 ,  4H006FC22 ,  4H006FC24 ,  4H006FE73 ,  4H006FE74 ,  4H027BA01 ,  4H027BB04 ,  4H027BC05 ,  4H027BD02 ,  4H027BD04 ,  4H027BD05 ,  4H027BD07 ,  4H027BD08 ,  4H027CT04 ,  4H027DM01 ,  4H027DM02 ,  4H027DM03 ,  4H027DM04 ,  4H027DM05
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (6件)
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引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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