特許

J-GLOBAL ID：200903039691377295

加熱処理装置

発明者： 坂本 貴浩 ,  山口 恭満 ,  久保 誠人
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-318178
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196299
出願日： 2000年10月18日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】 レジスト昇華物等が溜まりにくく、被処理基板の温度分布が不安定になることを防止することができ、被処理基板の温度を高精度に制御することができる加熱処理装置を提供すること。【解決手段】 その上またはその上方に被処理基板が載置され、被処理基板を加熱する熱板と、熱板の上方に規定される被処理基板を加熱処理する加熱処理空間を囲繞可能に設けられた囲繞部材と、前記囲繞部材により加熱処理空間を囲繞した際に、前記熱板の周囲を略密閉するシール機構と、前記加熱処理空間において外周から中央に向かう気流を形成する気流形成手段とを具備することを特徴とする加熱処理装置を構成する。

請求項（抜粋）：

その上またはその上方に被処理基板が載置され、被処理基板を加熱する熱板と、熱板の上方に規定される被処理基板を加熱処理する加熱処理空間を囲繞可能に設けられた囲繞部材と、前記囲繞部材により加熱処理空間を囲繞した際に、前記熱板の周囲を略密閉するシール機構と、前記加熱処理空間において外周から中央に向かう気流を形成する気流形成手段とを具備することを特徴とする加熱処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  F27D 7/06 ,  F27D 11/02 ,  G03F 7/30 501 ,  H05K 3/22

FI (5件)：

F27D 7/06 B ,  F27D 11/02 Z ,  G03F 7/30 501 ,  H05K 3/22 Z ,  H01L 21/30 567

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体製造装置およびウェハの処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-332584   出願人：三菱電機株式会社
• 基板加熱装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-278971   出願人：大日本スクリーン製造株式会社