半導体製造装置およびウェハの処理方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-332584
公開番号（公開出願番号）：特開平11-168045
出願日： 1997年12月03日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：

【要約】【課題】ウェハの均一なベークを行なうことが可能となる半導体製造装置を提供する。【解決手段】ホットプレートユニット1は、カバー2を備える。カバー2は、内壁面2cと排気口6とを備える。排気口6直下には、通気孔4aを有するプレート4が設けられる。プレート4と主面7a間の間隔と、主面7aと内壁面2c間の間隔は等しい。また、ホットプレートユニット1は、排気量を0.1(リットル/分)以上1(リットル/分)以下に抑制するための排気量調整弁5a,5bを有する。

請求項（抜粋）：

ウェハをベークするための半導体製造装置であって、チャンバと、前記チャンバ内に配置され、その上に前記ウェハが載置される加熱部と、前記ウェハの主面と対向する内壁面を有し、前記加熱部上に載置された前記ウェハの主面と前記内壁面との間隔が一定であるカバーと、前記ウェハの主面と対向する位置に設けられ、給気あるいは排気を行なう給排気口と、前記ウェハの主面との間の間隔が前記カバーの内壁面と前記ウェハの主面との間の間隔と同一となるように前記給排気口と前記ウェハとの間に設けられ、通気孔を有する部材と、を備えた半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , B05C 9/14 , G03F 7/38 , G03F 7/40

FI (4件)：

H01L 21/30 566 , B05C 9/14 , G03F 7/38 , G03F 7/40

引用特許：

審査官引用 (3件)

熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-024903 出願人：キヤノン株式会社, キヤノン販売株式会社
熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-079043 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
基板ベーキング装置及び基板ベーキング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-119108 出願人：シグマメルテック株式会社, 株式会社東芝

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