メモリ動作管理方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-205566
公開番号（公開出願番号）：特開2000-035916
出願日： 1998年07月21日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：

【要約】【課題】フラッシュメモリ内のデータ書き換え時間を短縮する。【解決手段】フラッシュメモリは、現在使用中のデータが格納されるプライマリメモリ12、以前使用していたデータが格納されるセカンダリメモリ13、常に消去済み状態(書き込み可能状態)として確保されるスタンバイメモリ14に分割されて管理される。スタンバイメモリ14のデータは、空き時間を利用してCPU11により逐次消去され、消去済み状態(書き込み可能状態)になるようにする。このため、フラッシュメモリ内に新データを格納するときには、フラッシュメモリ内のデータを消去する必要がない。

請求項（抜粋）：

データ書き込みに際し、既存のデータの消去動作を必要とするメモリにおける消去動作、書き込み動作を管理するメモリ動作管理方法において、現在使用中のデータが格納されるプライマリメモリ、以前使用していたデータが格納されるセカンダリメモリ、常に消去済み状態として確保されるスタンバイメモリを設け、新たなデータを前記スタンバイメモリに格納するステップと、新たなデータの格納後、前記プライマリメモリを前記セカンダリメモリへ変更し、前記セカンダリメモリを前記スタンバイメモリへ変更し、前記スタンバイメモリを前記プライマリメモリへ変更するステップと、メモリ管理変更後、空き時間に前記スタンバイメモリを消去するステップとを有することを特徴とするメモリ動作管理方法。

IPC (4件)：

G06F 12/06 523 , G06F 12/00 501 , G06F 12/02 510 , G11C 16/02

FI (4件)：

G06F 12/06 523 C , G06F 12/00 501 A , G06F 12/02 510 A , G11C 17/00 601 A

Fターム (5件)：

5B025AD04 , 5B060AA05 , 5B060AC11 , 5B082CA01 , 5B082CA08

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-159894
特開昭60-232000
不揮発性半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-077940 出願人：株式会社東芝

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