特許
J-GLOBAL ID：200903073997297558
不揮発性半導体メモリ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 保男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-077940
公開番号（公開出願番号）：特開平5-282889
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、書き込みを行うとともに長寿命化を図ることを目的とする。【構成】 複数個の各ブロックを最小消去単位とするメモリ手段1と、未使用ブロックの管理手段と、未使用ブロックのうち識別した未消去ブロックを順次消去する消去手段と、データの書き込みは管理された未使用ブロックに順に行い、書き込みデータの内容が記録された旧データを変更したものであってその旧データが不要のときはその旧データが記録されていたブロックを未使用として管理手段に通知し、所要のときは旧データ中の必要部分のデータを新たなデータを書き込むブロックにコピーする制御手段とを有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
複数のブロックに分割されたメモリセルアレイを備え、当該ブロックを最小消去単位として構成されたメモリ手段と、未使用の前記ブロックを管理する管理手段と、前記未使用のブロックのうち消去されたものと未消去のものを識別し未消去のブロックを順次消去する消去手段と、データの書き込みは前記管理手段で管理された未使用ブロックに順に行い、書き込みを行うデータの内容が既に記録された旧データを変更したものであってその旧データが不要である場合には当該旧データの記録されていたブロックを未使用として前記管理手段に通知し、所要の場合には前記旧データの中の必要とされる部分のデータを新たなデータを書き込むブロックにコピーする制御手段とを有することを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
IPC (2件)：
G11C 16/06
, G06F 12/02 510
