特許
J-GLOBAL ID：200903039721544272
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
三好 秀和
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 川又 澄雄
, 中村 友之
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-076833
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268442
出願日： 2004年03月17日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：
【課題】 フリップチップ実装後の加熱冷却サイクルでバンプ接続部に発生する応力によるバリアメタル層の剥離を防止することのできる半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体チップ1A上の電極パッドが、接続電極4及びバリアメタル層6,7,9とで構成された複数の金属層の積層体からなる。この金属層のうち、バンプ電極11と接する金属層9に比べて、半導体チップの表面寄りに形成されている金属層7、6は、径方向の寸法が大きいように構成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体素子が形成された半導体チップと、この半導体チップの表面に形成されて前記半導体素子と電気的に接続する電極パッドと、この電極パッド上に形成されたバンプ電極とを備え、
前記電極パッドが複数の金属層で構成された積層体からなり、この金属層のうち、バンプ電極と接して形成されている金属層に比べて、半導体チップの表面寄りに形成されている金属層はα線遮蔽能が高く、かつ径方向の寸法が大きいことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L21/92 603D
, H01L21/92 602K
, H01L21/92 603B
