特許
J-GLOBAL ID：200903039726537550

固体撮像装置およびその製造方法

発明者：
村上 一朗

村上 一朗 について

, 
中柴 康隆

中柴 康隆 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 越場 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-177262
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012817
出願日： 1998年06月24日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】 CCDイメージセンサにおいて、感度を増大するためにシリコン酸化膜を介してシリコン表面全面に反射防止膜を形成した場合、転送電極の駆動特性が制限され、また暗電流を低減するために有効な、水素によるシリコン界面上のダングリングボンドの終端を十分におこなうことができない。本発明は、転送電極の駆動特性等に影響を与えることなく、感度は向上し、さらに従来例で問題となった暗電流を低減を十分に行うことを目的とする。【解決手段】 光電変換領域となるn型半導体領域のシリコン基板上には、感度の向上のために、シリコン窒化膜のように屈折率が酸化膜より大きくシリコンより小さな反射防止膜を形成し、転送領域上では、転送電極の駆動特性等に影響を与えることがないように転送電極上部に形成する。暗電流の低減のために、転送電極上部の反射防止膜の一部を取り除く工程の後に、水素を外部からを送り込むシンター処理を行う。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、複数の光電変換領域と、前記光電変換領域からの電荷を読み出す読み出し領域と、読み出された電荷を転送する転送領域とが形成されており、転送領域の上部には転送電極が形成されている固体撮像装置において、各光電変換領域上に第1の絶縁膜と、反射防止膜と、さらにその上部に第2の絶縁膜が形成されており、さらに前記反射防止膜の屈折率が前記第2の絶縁膜よりも大きく前記半導体基板より小さい膜であり、かつこの前記第1の絶縁膜、反射防止膜および第2の絶縁膜が、転送領域上では、第3の絶縁膜を介して形成された転送電極上に延在して形成されていることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (3件)：
H01L 27/14 ,  H01L 21/316 ,  H04N 5/335
FI (3件)：
H01L 27/14 D ,  H01L 21/316 X ,  H04N 5/335 F
Fターム (28件)：
4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118CA03 ,  4M118CA32 ,  4M118CB13 ,  4M118DA18 ,  4M118DA28 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118GB11 ,  4M118GD04 ,  5C024CA31 ,  5C024FA01 ,  5C024FA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD15 ,  5F058BF04 ,  5F058BF07 ,  5F058BH05 ,  5F058BJ01
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 固体撮像素子およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-221925   出願人：松下電器産業株式会社
  • 特開平4-206571
  • 固体撮像素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-045335   出願人：ソニー株式会社
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