特許
J-GLOBAL ID：200903039745476235

プラズマエッチング装置およびエッチングの方法

発明者：
本間 孝治

本間 孝治 について


出願人/特許権者：
株式会社ケミトロニクス

株式会社ケミトロニクス について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-377836
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183044
出願日： 1998年12月11日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】半導体素子や集積回路の高性能化のために、表面の平坦化と基板結晶の薄層化、およびSOIウエーハのSiO2上のSi層の極薄層化に、無歪で高精度の加工仕上げが必要である。このため、プラズマエッチングによって試料を高速エッチで均一に薄くする装置とその方法を提供する。【解決手段】本発明では大気圧を含むこの近傍の圧力範囲でプラズマを発生させ、活性種ガスをエッチングノズルから試料面に供給して部分的にエッチングし、ノズルと試料を相対的に移動させながら、試料全面にわたって所望の加工を行う装置構成で課題を解決する。このプラズマによって大量の活性種ガスが生成され高速の加工に対応できる。
請求項（抜粋）：
試料の表面および裏面をドライエッチングにより平坦化あるいは薄層化する加工において、活性種ガスをエッチングノズルの先端から試料に当てて、部分的にエッチングし、ノズルと試料とを相対的に移動させながら、試料全面にわたって所望の加工を行う装置であって、上記、活性種ガスは大気圧近傍の圧力によって発生したプラズマによって生成されることを特徴としたプラズマエッチング装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
FI (3件)：
H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 A
Fターム (40件)：
4K057DA02 ,  4K057DA20 ,  4K057DB06 ,  4K057DD03 ,  4K057DE01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE11 ,  4K057DE14 ,  4K057DE20 ,  4K057DM05 ,  4K057DM28 ,  4K057DM29 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA00 ,  5F004BA03 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004BB30 ,  5F004BC08 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA04 ,  5F004DA05 ,  5F004DA10 ,  5F004DA11 ,  5F004DA13 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DB01 ,  5F004EB08
引用特許：
審査官引用 (4件)
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