特許
J-GLOBAL ID：200903005707240439

研磨装置及び研磨方法

発明者：
今橋 一成

今橋 一成 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-199863
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115865
出願日： 1996年07月10日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：
【要約】【課題】 ドライな雰囲気で研磨処理を行う研磨装置を提供する。【解決手段】 本研磨装置100は、ウェハWなどの被処理体を回転自在に保持する回転載置台104と、その回転載置台104等を揺動可能な揺動機構108と、所定の処理ガスをプラズマ化するとともに被処理体の回転面にプラズマ流を照射するプラズマ発生手段120とを備えている。例えば高周波誘導結合プラズマを発生する手段120から照射されたプラズマ流は、ウェハの回転力により吸引され、回転面に略平行な層流を形成し、ウェハの被研磨面全体にわたり均一な研磨を行う。
請求項（抜粋）：
被処理体の表面を研磨する研磨装置であって、前記被処理体を回転自在に保持する回転載置台と、所定の処理ガスをプラズマ化するとともに前記被処理体の回転面にプラズマ流を照射するプラズマ発生手段と、を備えたことを特徴とする、研磨装置。
IPC (5件)：
H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 1/00 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (5件)：
H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 E ,  B24B 1/00 A ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 N
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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