プラズマエッチング法及びプラズマエッチング装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：澁谷孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-071011
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246250
出願日： 1996年03月01日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】エッチング速度が変動しても被エッチング物を局部的に安定してエッチングできるプラズマエッチング装置を提供する。【解決手段】プラズマ発生領域7を有する石英製の細管2内へエッチングガス供給装置3からエッチングガスを供給し、プラズマ発生領域7へマイクロ波を照射してプラズマ化し、シリコンウェハ10の被エッチング部分10aにプラズマを供給してエッチングを行う。同時にレーザ光干渉型厚さ測定装置8からレーザ光を被エッチング部分10aに照射し、被エッチング部分10aの表面及び裏面から反射したレーザ光の干渉を利用してエッチング中に被エッチング部分10aの厚さを測定する。予め設定した厚さと測定した厚さをデータ処理装置11にて比較し、設定した厚さにエッチングされていると他の被エッチング部分へ細管直下が位置するようにシリコンウェハ10を移動させる。

請求項（抜粋）：

被エッチング物を局部的にエッチングするプラズマエッチング法において、被エッチング部分の厚さを測定しながらエッチングを行うことを特徴とするプラズマエッチング法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , G01B 11/06 , H01L 21/66

FI (3件)：

H01L 21/302 A , G01B 11/06 G , H01L 21/66 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

エッチング装置および半導体基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-003672 出願人：株式会社日立製作所
特開平2-062039
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-260927 出願人：富士通株式会社

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