特許
J-GLOBAL ID：200903039750004147

絶縁膜形成用塗布液

発明者：
林 英治

林 英治 について

, 
長谷川 公一

長谷川 公一 について

, 
塩田 淳

塩田 淳 について


出願人/特許権者：
JSR株式会社

JSR株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-095496
公開番号（公開出願番号）：特開2003-292626
出願日： 2002年03月29日
公開日（公表日）： 2003年10月15日
要約：
【要約】【課題】 水を含まず誘電率の低い、高速配線に有利な絶縁膜、すなわち膜特性に優れた絶縁膜、特に半導体製造装置用絶縁膜を形成することのできる、シロキサン類を用いる、絶縁膜形成用塗布液を提供することを目的とするものである。【解決手段】 29Si-NMRスペクトルのシグナル面積から求められる縮合率Xが80%以上であること特徴とするポリシロキサンを含むことを特徴とする絶縁膜形成用塗布液。
請求項（抜粋）：
下記式(A0)〜(A3)から選ばれる構造および下記式(B0)〜(B4)から選ばれる構造を有するシロキサン化合物であって、該シロキサン化合物の29Si-NMRスペクトルのシグナル面積から求められる縮合率Xが下記式[1]を満足することを特徴とする絶縁膜形成用塗布液。【化1】【化2】(前記式(A0)〜(A3)および(B0)〜(B4)中、Rはアルキル基、アリール基、アリル基、グリシジル基から選ばれる少なくとも1種の有機を、R'は水素原子または炭化水素基を示す。)【数1】(前記式[1]中、a3:Si-C結合をもつSiに帰属されるSiシグナルの中で、前記式(A3)に帰属されるSiシグナルの面積、a2:Si-C結合をもつSiに帰属されるSiシグナルの中で、前記式(A2)に帰属されるSiシグナルの面積、a1:Si-C結合をもつSiに帰属されるSiシグナルの中で、前記式(A1)に帰属されるSiシグナルの面積、a0:Si-C結合をもつSiに帰属されるSiシグナルの中で、前記式(A0)に帰属されるSiシグナルの面積、b4:Si-C結合を持たないSiに帰属されるSiシグナルの中で、前記式(B4)に帰属されるSiシグナルの面積、b3:Si-C結合を持たないSiに帰属されるSiシグナルの中で、前記式(B3)に帰属されるSiシグナルの面積、b2:Si-C結合を持たないSiに帰属されるSiシグナルの中で、前記式(B2)に帰属されるSiシグナルの面積、b1:Si-C結合を持たないSiに帰属されるSiシグナルの中で、前記式(B1)に帰属されるSiシグナルの面積、b0:Si-C結合を持たないSiに帰属されるSiシグナルの中で、前記式(B0)に帰属されるSiシグナルの面積を示す。)
IPC (2件)：
C08G 77/04 ,  H01L 21/312
FI (2件)：
C08G 77/04 ,  H01L 21/312 C
Fターム (16件)：
4J035BA06 ,  4J035BA16 ,  4J035CA04N ,  4J035CA041 ,  4J035CA06N ,  4J035CA061 ,  4J035CA112 ,  4J035CA142 ,  4J035LB01 ,  4J035LB20 ,  5F058AA02 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02
引用特許：
審査官引用 (4件)
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