特許
J-GLOBAL ID：200903031535356635
ポリオルガノシロキサン系組成物の製造方法、ポリオルガノシロキサン系組成物、および膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
白井 重隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-300468
公開番号（公開出願番号）：特開2001-115026
出願日： 1999年10月22日
公開日（公表日）： 2001年04月24日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、低誘電率、高弾性率の膜が得られるポリオルガノシロキサン系組成物を提供すること。【解決手段】 (A)(A-1);Ra Si(OR1 )4-a (式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す)、(A-2);Si(OR2 )4 (式中、R2 は1価の有機基を示す)および(A-3);R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-cR6 c 〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、b〜cは同一または異なり、0〜2の整数、R7 は酸素原子、フェニレン基または-(CH2 )n -で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す〕の群から選ばれた少なくとも1種の化合物を、(B)アルカリ触媒の存在下に、加水分解・縮合し、得られる加水分解縮合物の重量平均分子量を5万〜1,000万となすポリオルガノシロキサン系組成物の製造方法。
請求項（抜粋）：
(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物、Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)(A-2)下記一般式(2)で表される化合物、およびSi(OR2 )4 ・・・・・(2)(式中、R2 は1価の有機基を示す。)(A-3)下記一般式(3)で表される化合物 R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6 c ・・・・・(3)〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、b〜cは同一または異なり、0〜2の整数、R7 は酸素原子、フェニレン基または-(CH2)n -で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕の群から選ばれた少なくとも1種の化合物を(B)アルカリ触媒の存在下に、加水分解・縮合し、得られる加水分解縮合物の重量平均分子量を5万〜1,000万となすことを特徴とするポリオルガノシロキサン系組成物の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (38件)：
4J002CP021
, 4J002CP031
, 4J002CP041
, 4J002CP051
, 4J002CP061
, 4J002CP081
, 4J002CP091
, 4J002CP141
, 4J002FD310
, 4J002GQ01
, 4J002HA05
, 4J002HA08
, 4J035AA02
, 4J035AA03
, 4J035BA02
, 4J035BA03
, 4J035BA04
, 4J035BA05
, 4J035BA06
, 4J035BA12
, 4J035BA13
, 4J035BA14
, 4J035BA15
, 4J035BA16
, 4J035CA022
, 4J035CA052
, 4J035CA062
, 4J035CA112
, 4J035CA132
, 4J035CA142
, 4J035CA152
, 4J035CA162
, 4J035CA172
, 4J035CA192
, 4J035EA01
, 4J035LB01
, 4J035LB02
, 4J035LB03
