不揮発性フラッシュメモリの制御方法とその装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-298149
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153285
出願日： 1993年11月29日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】不揮発性フラッシュメモリの使用寿命を長くすることを目的とする。【構成】 CPU1は、全体の制御を行う。アドレスデコードRAM4は、CPU1から出力されるフラッシュメモリアドレスのブロック&ページ・アドレス8を、フラッシュメモリ5に対するブロック&ページ・アドレス10に変換する。フラッシュメモリの下位アドレス9はフラッシュメモリ5に与えられる。この構成で、CPU1から与えられるブロック&ページ・アドレス8を、ブロック&ページ・アドレス10に変換しフラッシュメモリをアクセスする。RAM3に、フラッシュメモリ5の各ぺージに対応する書込み頻度計数記憶領域を設定し、書き込み発生頻度を所定の期間計測する。RAM3の各ぺージに対応する書込み頻度をチェックし、フラッシュメモリの各ブロックに対する書込み回数が一様になるよう各ページを割り当て、アドレスデコードRAM4に設定する。

請求項（抜粋）：

不揮発性フラッシュメモリの各記憶単位に対する書込み回数を計数する計数工程と、所定数の記憶単位を含む各ブロックに対する書込み回数が一様になるように、各ブロックに対する前記記憶単位の割当を決定する割当工程と、前記決定された各記憶単位の割当に基づいて、前記記憶単位の論理記憶単位アドレスを物理記憶単位アドレスに変換する変換工程と、を備えることを特徴とする不揮発性フラッシュメモリの制御方法。

IPC (2件)：

G11C 16/06 , G06F 12/16 310

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-222997
記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-232934 出願人：株式会社日立製作所
半導体ディスク装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-244713 出願人：株式会社東芝

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